当社は、独立行政法人産業技術総合研究所(以下「産総研」)のダイヤモンド単結晶製造技術の事業化を目的として、産総研ダイヤモンド研究センター長であった藤森直治(現当社代表取締役社長)を中心に設立されました。

2009年9月	大阪府池田市緑丘一丁目8番31号に資本金10,000,000円で株式会社イーディーピーを設立
2009年10月	営業開始 産総研の研究成果を活用した事業を行う設立5年以内のベンチャーに付与される「産総研発ベンチャー」の称号付与
2010年10月 2011年5月 2011年10月 2012年10月 2012年11月 2013年10月 2015年4月 2015年11月 2017年11月 2021年12月 2022年2月	12.5mm長の長尺工具素材の発売 国立研究開発法人新エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO)・イノベーション推進事業に採択 本社及び本社工場を大阪府茨木市五日市一丁目7番24号に移転 本社及び本社工場を大阪府豊中市上新田四丁目6番3号に移転 1インチ(25x25mm)基板の発売 (111)面(注1)研究用基板の発売 大阪府茨木市横江一丁目17番3号に横江第1工場を設置 Bドープエピ層(注2)付き基板の発売 10x10mm種結晶(注3)の発売 本社工場の稼働を停止し、横江第2工場の設置準備を開始 大阪府茨木市横江一丁目2番9号に横江第2工場を設置

(注)1.ダイヤモンド単結晶の利用する結晶面としてよく現れる、代表的な結晶面であります。最も硬い面でありますが、n形半導体(電子が移動する半導体)を作製する成長工程においては、P(リン)が含有する層を成長させやすいので、半導体関連の研究で使用されます。
2.半導体材料として使用するには、その物質の中を電子もしくは正孔(通常の状態に比べ電子が足りない状態)のどちらかが移動できるようにすることが必要です。このような2種類の半導体を、n形半導体(電子が移動する)、p形半導体(正孔が移動する)と呼びます。ダイヤモンドは絶縁体でありますが、半導体化するには、周期律表のⅢ属元素(BやAl)やⅤ属元素(P、As、Sb)を混入させます。n形半導体にはP(リン)を、p形半導体にはB(ボロン)を、結晶内に取り込ませれば(このことをドーピングという)それぞれの特性を持つ半導体となります。中でも、Bドーピングしたダイヤモンドは、広い範囲の電気伝導率の制御が可能で、比較的利用が容易であります。当社は、通常の基板上にBドープ層を成長させ製品化しております。
3.人工ダイヤモンド宝石を製造するために、気相合成法(メタンなどの炭素を含んだガスを、何等かの手段で活性化し、1,000℃程度の温度でダイヤモンドを生成する方法)でダイヤモンドを成長させるための、元となる結晶であります。当社の主力製品で、代表的には7x7～11x11mmの面積を持ち、0.3mmの厚さの板状のダイヤモンドであります。