法人番号情報

JX金属株式会社

【番号】

2010001133878

【英名】

JX Advanced Metals Corporation

【読み】

じぇいえっくすきんぞく

【所在】

〒105-0001 東京都港区虎ノ門2丁目10番4号

吸収合併を実施しています。
変更事由の詳細
令和5年4月1日 茨城県北茨城市華川町臼場字駒木187番地4JX金属ファウンドリー株式会社（2050001024157）を合併

過去の資格情報

職場情報

【URL】

http://www.nmm.jx-group.co.jp/

【規模】

大企業（2220）

【事業】

・非鉄金属資源の開発・採掘 ・非鉄金属製品(銅、金、銀等)の製造・販売 ・電解・圧延銅箔の製造・販売 ・薄膜材料(ターゲット材、表面処理剤、化合物半導体材料等)の製造・販売 ・精密圧延品の製造・販売 ・精密加工品の製造・販売 ・非鉄金属リサイクルおよび産業廃棄物処理

政府調達・補助金

表彰情報

【表彰】

• 次世代育成支援対策推進法に基づく「くるみん」認定
• ２０１９/厚生労働省

• 女性の活躍推進企業
• 厚生労働省

• 両立支援のひろば　一般事業主行動計画公表
• 厚生労働省

届出認定

【認定】

• ＤＸ認定制度
• 2022年3月1日から2024年2月29日まで
• 22年3月1日/経済産業省

• ＰＲＴＲ：非鉄金属製造業
• 経済産業大臣/経済産業省

知的財産

【特許】

• 銅又は銅合金スパッタリングターゲット
• 15年3月23日出願、C23C 14/34, C23C 14/34 A, G01N 29/11, H01L 21/285, H01L 21/285 301, H01L 21/285 S

• Ni-P合金又はNi-Pt-P合金からなるスパッタリングターゲットの製造方法
• 15年3月12日出願、B22F 3/14, B22F 3/14 D, B22F 3/15, B22F 3/15 M, C22C 1/04, C22C 1/04 B, C22C 19/03, C22C 19/03 Z, C23C 14/34, C23C 14/34 A

• Sb-Te基合金焼結体スパッタリングターゲット
• 15年2月20日出願、B22F 3/14, B22F 3/14 D, C22C 1/04, C22C 1/04 E, C22C 12/00, C22C 28/00, C22C 28/00 B, C22C 32/00, C22C 32/00 Z, C23C 14/34, C23C 14/34 A

• 積層体及び、その製造方法
• 15年3月20日出願、B32B 18/00, B32B 18/00 B, C04B 37/02, C04B 37/02 Z, H01L 23/12, H01L 23/12 D, H01L 23/14 C, H01L 23/15

• 磁性材スパッタリングターゲット
• 15年3月13日出願、C23C 14/34, C23C 14/34 A, G11B 5/64, G11B 5/851

• コバルトスパッタリングターゲット
• 15年9月25日出願、C23C 14/34, C23C 14/34 A

• 円筒型スパッタリングターゲット
• 15年9月11日出願、C04B 37/02, C04B 37/02 B, C22C 28/00, C22C 28/00 B, C23C 14/34, C23C 14/34 B, C23C 14/34 C

• めっき付き金属基材
• 15年6月4日出願、C25D 5/10, C25D 7/00, C25D 7/00 G, C25D 7/06, C25D 7/06 A, G02B 7/04, G02B 7/04 D, G02B 7/04 E, H01R 13/03, H01R 13/03 D, H05K 1/09, H05K 1/09 C, H05K 3/20, H05K 3/20 A, H05K 3/34, H05K 3/34 501D, H05K 3/34 501F, H05K 3/46, H05K 3/46 B, H05K 3/46 T

• 円筒型スパッタリングターゲット及びその製造方法
• 15年3月23日出願、C04B 37/02, C04B 37/02 B, C04B 37/02 C, C23C 14/34, C23C 14/34 B, C23C 14/34 C

• 円筒型スパッタリングターゲットの製造方法及び円筒型成形体の製造方法
• 15年3月27日出願、C04B 35/00, C04B 35/00 J, C04B 35/64, C04B 35/64 L, C23C 14/34, C23C 14/34 A, C23C 14/34 B

• 磁気記録膜形成用スパッタリングターゲット及びその製造方法
• 15年9月18日出願、B22F 3/00, B22F 3/00 E, B22F 3/15, B22F 3/15 M, C22C 30/02, C22C 32/00, C22C 32/00 Z, C22C 38/00, C22C 38/00 303Z, C22C 5/04, C23C 14/34, C23C 14/34 A, G11B 5/64, G11B 5/851

• スパッタリングターゲット
• 15年9月11日出願、C04B 37/02, C04B 37/02 B, C23C 14/34, C23C 14/34 C、15年6月16日出願、B22F 3/00, B22F 3/00 E, B22F 3/14, B22F 3/14 D, C22C 19/07, C22C 19/07 G, C22C 38/00, C22C 38/00 304, C23C 14/34, C23C 14/34 A, H01F 41/18、14年1月29日出願、14年1月20日出願

• 酸化物焼結体及び該酸化物焼結体からなるスパッタリングターゲット
• 15年1月22日出願、C04B 35/00, C04B 35/00 J, C23C 14/34, C23C 14/34 A

• タンタルスパッタリングターゲット及びその製造方法
• 15年3月4日出願、C22F 1/00, C22F 1/00 606, C22F 1/00 661Z, C22F 1/00 685Z, C22F 1/00 686Z, C22F 1/00 691B, C22F 1/00 694A, C22F 1/00 694Z, C22F 1/18, C22F 1/18 G, C23C 14/34, C23C 14/34 A, H01L 21/28, H01L 21/28 301R, H01L 21/285, H01L 21/285 S、14年2月28日出願

• 塩化銅の製造方法
• 15年4月9日出願、C01G 3/05, C23C 16/14, H01L 21/28, H01L 21/28 301R, H01L 21/285, H01L 21/285 301, H01L 21/285 C, H01L 21/3205, H01L 21/768, H01L 21/88 R, H01L 23/532

• 円筒型スパッタリングターゲット、円筒型焼結体、円筒型成形体及びそれらの製造方法
• 15年3月27日出願、C04B 35/00, C04B 35/00 J, C23C 14/34, C23C 14/34 B

• 樹脂製の板状キャリアと金属層とからなる積層体
• 15年3月25日出願、B32B 15/08, B32B 15/08 M, B32B 15/08 N, H05K 1/09, H05K 1/09 A, H05K 3/46, H05K 3/46 B, H05K 3/46 S

• スパッタリングターゲット及びその製造方法
• 15年2月27日出願、C23C 14/34, C23C 14/34 A, C23C 14/34 C、15年2月24日出願、C23C 14/34, C23C 14/34 C, H01L 21/363、15年2月13日出願、C04B 35/00, C04B 35/00 J, C04B 37/02, C04B 37/02 B, C23C 14/34, C23C 14/34 B, C23C 14/34 C、14年11月13日出願

• キャリア付金属箔を有する積層体
• 15年4月2日出願、B32B 15/08, B32B 15/08 J, H05K 3/46, H05K 3/46 B, H05K 3/46 G

• 銅合金板および、それを備えるプレス成形品
• 15年3月30日出願、C22C 9/00, C22C 9/02, C22C 9/04, C22C 9/05, C22C 9/06, C22F 1/00, C22F 1/00 604, C22F 1/00 623, C22F 1/00 630A, C22F 1/00 630K, C22F 1/00 660Z, C22F 1/00 661A, C22F 1/00 682, C22F 1/00 683, C22F 1/00 685Z, C22F 1/00 686A, C22F 1/00 691B, C22F 1/00 691C, C22F 1/00 694A, C22F 1/00 694B, C22F 1/00 694Z, C22F 1/08, C22F 1/08 B, C22F 1/08 J

• 銅微粒子ペースト及びその製造方法
• 15年3月30日出願、B22F 1/00, B22F 1/00 L, B22F 1/02, B22F 1/02 B, B22F 9/00, B22F 9/00 B, B22F 9/20, B22F 9/20 E, H01B 1/00, H01B 1/00 M, H01B 1/22, H01B 1/22 A, H01L 21/52, H01L 21/52 E, H01L 23/36 M, H01L 23/373, H01L 25/04 C, H01L 25/07, H01L 25/18, H05K 3/32, H05K 3/32 B

• リチウムイオン電池用正極活物質、リチウムイオン電池用正極、及び、リチウムイオン電池
• 15年3月2日出願、C01G 53/00, C01G 53/00 A, H01M 4/36, H01M 4/36 A, H01M 4/505, H01M 4/525

• ロータリースパッタリングターゲット及びその製造方法
• 15年2月27日出願、C04B 35/00, C04B 35/00 J, C04B 37/02, C04B 37/02 Z, C23C 14/34, C23C 14/34 A, C23C 14/34 B, C23C 14/34 C

• 電子部品用Snめっき材
• 15年2月24日出願、C25D 5/12, C25D 5/50, C25D 7/00, C25D 7/00 H, H01R 13/03, H01R 13/03 D, H01R 43/16

• 酸化物焼結体、酸化物スパッタリングターゲット及び導電性酸化物薄膜並びに酸化物焼結体の製造方法
• 15年1月26日出願、C04B 35/00, C04B 35/00 J, C23C 14/08, C23C 14/08 K

• 酸化物焼結体、スパッタリングターゲット及び酸化物薄膜
• 15年1月22日出願、C04B 35/00 P, C04B 35/453, C23C 14/08, C23C 14/08 K, C23C 14/34, C23C 14/34 A, H01B 5/14, H01B 5/14 A

• 磁性記録媒体用スパッタリングターゲット
• 15年1月9日出願、C23C 14/34, C23C 14/34 A, G11B 5/851、14年5月23日出願、14年5月14日出願

• 酸化物焼結体、酸化物スパッタリングターゲット及び酸化物薄膜
• 16年2月25日出願、C04B 35/00 J, C23C 14/34, G02B 1/113

• IZO焼結体スパッタリングターゲット及びその製造方法
• 16年3月31日出願、C04B 35/00, C23C 14/34

• キャリア付銅箔、積層体、プリント配線板の製造方法及び電子機器の製造方法
• 16年2月18日出願、B32B 15/04, B32B 15/04 A, H05K 1/09 A、16年2月16日出願、B32B 15/08, B32B 15/08 J, C23C 18/16 A, C25D 1/04 311, C25D 7/00 J, H05K 1/09, H05K 3/20 A

• キャリア付銅箔、積層体、プリント配線板、プリント配線板の製造方法及び電子機器の製造方法。
• 16年1月21日出願、B32B 15/04 A, C25D 7/06, H05K 1/09 A

• 表面処理銅箔、銅張積層板、プリント配線板、電子機器及びプリント配線板の製造方法
• 14年12月10日出願

• 磁性材スパッタリングターゲット及びその製造方法
• 14年11月20日出願

• スパッタリングターゲット/バッキングプレート組立体
• 14年10月29日出願

• タンタルスパッタリングターゲット
• 14年9月26日出願

• 低α線ビスマスの製造方法及び低α線ビスマス
• 14年9月22日出願、14年9月4日出願

• 電子部品用チタン銅及びその製造方法
• 14年9月19日出願

• 電子部品用チタン銅
• 14年9月19日出願

• 酸化物焼結体、スパッタリングターゲット及び薄膜並びに酸化物焼結体の製造方法
• 14年9月10日出願

• 高純度マンガンの製造方法及び高純度マンガン
• 14年9月8日出願、14年9月2日出願

• バッキングプレート一体型の金属製スパッタリングターゲット及びその製造方法
• 14年9月5日出願

• 高純度塩化コバルトの製造方法
• 14年9月5日出願

• 低α線ビスマスの製造方法
• 14年9月4日出願

• 低α線ビスマス及び低α線ビスマスの製造方法
• 14年9月4日出願

• 高純度In及びその製造方法
• 14年9月2日出願

• キャリア付銅箔の製造方法、銅張積層板の製造方法、プリント配線板の製造方法、及び、電子機器及びキャリア付銅箔
• 14年8月29日出願

• 高強度チタン銅箔及びその製造方法
• 14年8月29日出願

• キャリア付銅箔の製造方法、銅張積層板の製造方法、プリント配線板の製造方法、及び、電子機器の製造方法
• 14年8月29日出願

• キャリア付銅箔、銅張積層板の製造方法、プリント配線板の製造方法及び電子機器の製造方法
• 14年8月29日出願

• キャリア付銅箔の製造方法、銅張積層板の製造方法、プリント配線板の製造方法、電子機器の製造方法、キャリア付銅箔、銅張積層板、プリント配線板及び電子機器
• 14年8月29日出願

• 表面処理銅箔及びそれを用いた積層板、プリント配線板、電子機器、並びに、プリント配線板の製造方法
• 14年8月18日出願

• 表面処理銅箔及びそれを用いた積層板、キャリア付銅箔、銅箔、プリント配線板、電子機器、電子機器の製造方法、並びに、プリント配線板の製造方法
• 14年8月7日出願

• 表面処理銅箔及びそれを用いた積層板、キャリア付銅箔、プリント配線板、電子機器、電子機器の製造方法、並びに、プリント配線板の製造方法
• 14年8月7日出願

• スパッタリングターゲット-バッキングプレート接合体
• 14年8月6日出願

• Cu-Ga合金スパッタリングターゲット
• 14年6月25日出願

• 含銅モリブデン鉱の処理方法
• 14年6月25日出願

• 2次元六角形格子化合物製造用圧延銅箔、及び2次元六角形格子化合物の製造方法
• 14年6月13日出願

• キャリア付銅箔、銅張積層板、プリント配線板、電子機器、及び、プリント配線板の製造方法
• 14年6月13日出願

• 希土類薄膜磁石及びその製造方法並びに希土類薄膜磁石形成用ターゲット
• 14年6月4日出願

• 磁性薄膜形成用スパッタリングターゲット
• 14年4月30日出願

• 磁気記録膜用スパッタリングターゲット及びその製造に用いる炭素原料
• 14年4月24日出願

• 焼結体、同焼結体からなる磁気記録膜形成用スパッタリングターゲット
• 14年4月23日出願

• キャリア付銅箔、プリント回路板の製造方法、銅張積層板、銅張積層板の製造方法、及び、プリント配線板の製造方法
• 14年4月15日出願

• 廃棄物の処理方法
• 14年3月27日出願

• スパッタリングターゲット及び、それの製造方法
• 14年3月27日出願

• 表面処理銅箔、銅張積層板、プリント配線板、電子機器、半導体パッケージ、プリント配線板の製造方法、電子機器の製造方法、半導体パッケージの製造方法、樹脂基材の製造方法、銅箔の表面プロファイルを樹脂基材に転写する方法
• 14年3月25日出願

• 表面処理銅箔、銅張積層板、プリント配線板、電子機器、半導体パッケージ用回路形成基板、半導体パッケージ及びプリント配線板の製造方法
• 14年3月25日出願

• 表面処理銅箔、銅張積層板、プリント配線板の製造方法、半導体パッケージの製造方法及び電子機器の製造方法
• 14年3月25日出願

• コバルトスパッタリングターゲット及びその製造方法
• 14年3月25日出願

• スパッタリング用シリサイドターゲット及びその製造方法
• 14年3月24日出願

• タングステン焼結体スパッタリングターゲット
• 14年3月20日出願

• ニオブスパッタリングターゲット
• 14年3月20日出願

• Ti-Al合金スパッタリングターゲット
• 14年3月17日出願

• 金属及び/又は焼結体を検索するための装置、システム、方法及びプログラム
• 14年3月17日出願

• 圧延銅箔、銅張積層板、並びにフレキシブルプリント基板及び電子機器
• 14年3月13日出願

• IGZOスパッタリングターゲット
• 14年3月11日出願

• MgO-TiO焼結体ターゲット及びその製造方法
• 14年3月4日出願

• スパッタリング用チタンターゲット及びその製造方法
• 14年3月3日出願

• 銅合金スパッタリングターゲット
• 14年2月28日出願

• 高純度銅コバルト合金スパッタリングターゲット
• 14年2月19日出願

• 磁気記録膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法
• 14年2月10日出願

• 磁気記録膜形成用スパッタリングターゲット
• 14年2月10日出願

• ITOスパッタリングターゲット及びその製造方法
• 14年1月20日出願

• タングステン酸ジルコニウム
• 14年1月9日出願

• 酸化物焼結体、酸化物スパッタリングターゲット及び高屈折率の導電性酸化物薄膜並びに酸化物焼結体の製造方法
• 14年1月8日出願

もっと見る (70)

【商標】

• カッパーくん
• 16年9月20日出願、6, 40

• §Cu
• 16年9月20日出願、6, 40

• hyperGrain
• 16年7月1日出願、6, 17

法人番号情報の変更履歴

2023年4月3日

令和5年4月1日 茨城県北茨城市華川町臼場字駒木187番地4JX金属ファウンドリー株式会社（2050001024157）を合併 吸収合併

2020年7月6日

東京都千代田区大手町1丁目1番2号から東京都港区虎ノ門2丁目10番4号に所在地を変更 住所変更

2017年4月3日

平成29年4月1日 東京都千代田区大手町一丁目1番2号JXプロキュアメント株式会社（4010001133934）を合併 吸収合併

2016年1月4日

東京都千代田区大手町2丁目6番3号から東京都千代田区大手町1丁目1番2号に所在地を変更 住所変更

JX日鉱日石金属株式会社からJX金属株式会社に名称を変更 名称変更

2015年10月5日

法人番号公表：2010001133878