法人番号情報

株式会社SUMCO

【番号】
3010401046159
【英名】
SUMCO CORPORATION
【読み】
さむこ
【所在】
〒105-0023 東京都港区芝浦1丁目2番1号
更新日:2023年03月17日

職場情報

【規模】
大企業(7520)
厚生労働省

政府調達・補助金

補助金

2019年 2件の補助金受給
5996万円

表彰情報

【表彰】
  • あんぜんプロジェクト-認定
  • 厚生労働省
  • 女性の活躍推進企業
  • 厚生労働省
  • あんぜんプロジェクト-認定
  • 厚生労働省

届出認定

【認定】
  • DX認定制度
  • 2023年11月1日から2025年10月31日まで
  • 23年11月1日/経済産業省
  • DX認定制度
  • 2021年11月1日から2023年10月31日まで
  • 21年11月1日/経済産業省
  • PRTR電気機械器具製造業、窯業・土石製品製造業
  • 経済産業大臣/経済産業省
  • PRTR電気機械器具製造業、非鉄金属製造業、窯業・土石製品製造業
  • 経済産業大臣/経済産業省

知的財産

【特許】
  • シリコン単結晶の製造方法及び製造システム
  • 15年9月24日出願、C30B 15/02, C30B 29/06, C30B 29/06 502A
  • 石英ガラスルツボの破壊検査方法及び良否判定方法
  • 15年9月24日出願、C03B 20/00, C03B 20/00 H, C30B 15/10, C30B 29/06, C30B 29/06 502B
  • 半導体エピタキシャルウェーハの汚染評価方法およびそれを用いたエピタキシャル成長装置の汚染評価方法
  • 15年12月17日出願、H01L 21/66, H01L 21/66 L
  • 顕微ラマン分光分析装置による分析方法
  • 15年10月30日出願、G01N 21/65, H01L 21/66, H01L 21/66 J
  • シリコン単結晶の製造方法
  • 15年8月21日出願、C30B 29/06, C30B 29/06 502K
  • ウェーハの両面研磨装置
  • 15年4月28日出願、B24B 37/04 F, B24B 37/08, B24B 45/00, B24B 45/00 Z, H01L 21/304, H01L 21/304 621A
  • エピタキシャルウェーハの評価方法および評価装置
  • 15年4月14日出願、G01N 21/956, G01N 21/956 A, H01L 21/66, H01L 21/66 J
  • 石英ガラスルツボ及びその製造方法
  • 14年12月25日出願
  • 単結晶の製造方法およびシリコンウェーハの製造方法
  • 14年12月24日出願
  • エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法及び気相成長装置
  • 14年9月19日出願
  • ウェーハの研磨方法およびウェーハの研磨装置
  • 14年6月24日出願
  • 半導体エピタキシャルウェーハの製造方法、半導体エピタキシャルウェーハ、および固体撮像素子の製造方法
  • 14年1月7日出願
  • エピタキシャルウェーハの製造方法およびエピタキシャルウェーハ
  • 14年1月7日出願
【商標】
  • 勝高
  • 14年12月25日出願

法人番号情報の変更履歴

2015年10月5日
法人番号公表:3010401046159

所在地マップ