役員の状況
井上壮一
2019年3月の株式保有割合0%(0株)
- 2019年3月
取締役 - 0%
0株
略歴
1987年4月 | 株式会社東芝入社 |
2002年11月 | 同社プロセス技術推進センター半導体プロセス開発第二部グループ(リソグラフィ技術開発第一担当)グループ長 |
2011年7月 | 株式会社EUVL基盤開発センター研究連携推進部長 |
2015年4月 | 株式会社東芝半導体研究開発センターリソグラフィプロセス技術開発部長 |
2016年6月 | 同社半導体研究開発センターリソグラフィプロセス技術開発部長兼株式会社先端ナノプロセス基盤開発センター取締役 |
2017年4月 | 術研究開発センタープロセス技術開発第二部長兼株式会社先端ナノプロセス基盤開発センター取締役 |
2019年4月 | 同社メモリ技術研究所プロセス技術研究開発センター技監 |
2019年6月 | 同社メモリ技術研究所プロセス技術研究開発センター技監兼当社取締役(現任) |
その他
- 生年月日
- 1961年8月10日