セントラル硝子(4044)の研究開発費の推移 - 全期間
連結
- 2013年3月31日
- 40億6600万
- 2014年3月31日 +6.49%
- 43億3000万
- 2015年3月31日 +6.42%
- 46億800万
- 2016年3月31日 -2.93%
- 44億7300万
- 2017年3月31日 -1.99%
- 43億8400万
- 2018年3月31日 +4.52%
- 45億8200万
- 2019年3月31日 +17.61%
- 53億8900万
- 2020年3月31日 +1.8%
- 54億8600万
- 2021年3月31日 -1.15%
- 54億2300万
- 2022年3月31日 -15.21%
- 45億9800万
- 2022年9月30日 -49.06%
- 23億4200万
- 2023年3月31日 +107.43%
- 48億5800万
- 2023年9月30日 -43.17%
- 27億6100万
- 2024年3月31日 +112.17%
- 58億5800万
- 2024年9月30日 -45.82%
- 31億7400万
- 2025年3月31日 +106.3%
- 65億4800万
- 2025年9月30日 -48.3%
- 33億8500万
- 2026年3月31日 +98.52%
- 67億2000万
個別
- 2013年3月31日
- 40億6600万
- 2014年3月31日 +6.49%
- 43億3000万
- 2015年3月31日 +6.42%
- 46億800万
- 2016年3月31日 -2.93%
- 44億7300万
- 2017年3月31日 -1.99%
- 43億8400万
- 2018年3月31日 +4.52%
- 45億8200万
- 2019年3月31日 +17.61%
- 53億8900万
- 2020年3月31日 +1.8%
- 54億8600万
- 2021年3月31日 -1.15%
- 54億2300万
- 2022年3月31日 -15.21%
- 45億9800万
- 2023年3月31日 +5.65%
- 48億5800万
- 2024年3月31日 +11.2%
- 54億200万
- 2025年3月31日 +12.74%
- 60億9000万
- 2026年3月31日 +2.25%
- 62億2700万
有報情報
- #1 一般管理費及び当期製造費用に含まれる研究開発費(連結)
- ※2 一般管理費及び当期製造費用に含まれる研究開発費の総額2026/06/22 15:52
- #2 主要な販売費及び一般管理費(連結)
- ※1 販売費及び一般管理費のうち主要な費目及び金額は次のとおりであります。2026/06/22 15:52
前連結会計年度(自 2024年4月1日至 2025年3月31日) 当連結会計年度(自 2025年4月1日至 2026年3月31日) 従業員株式交付引当金繰入額 80 77 研究開発費 6,548 6,720 - #3 研究開発活動
- 2022年7月からは、基盤技術の創出、機能性材料の効率的開発およびコーポレート研究の役割をそれぞれ明確にして、基盤化学研究所、機能化学研究所、New-STEP研究所の3研究所体制で新たに研究開発を推進しております(ガラス事業の研究開発は化学の一分野と捉えて、基盤化学研究所(松阪)でこれまで通り行うと同時に、ガラスと化学のコア技術を益々融合させてまいります)。2026/06/22 15:52
当連結会計年度の研究開発費は7,659百万円であり、主な研究開発の概要と成果は次のとおりであります。
電子材料分野では、2024年より、半導体向けエッチングガスCEG® 34E、およびCEG® 39Aの量産を開始いたしました。CEG® 34Eは高積層化が進む次世代3D-NAND Flash向けに開発されたプラズマエッチングガスであり、マスクやフォトレジストのダメージを抑制しつつ、対象となる膜種のみを選択的、かつ直線的にエッチングする事が可能な特性を有しています。また、CEG® 39AはLogic半導体2nm世代以降の「Gate All Around」と呼ばれるトランジスタ構造に適応したエッチングガスであり、エッチング性能(エッチング時の加工精度と速度の両立)に優れています。いずれもGWP(地球温暖化係数)が低いガスあり、GHG(温室効果ガス)排出量の削減にも大きく貢献いたします。