有価証券報告書-第16期(2024/04/01-2025/03/31)

当社は、独立行政法人産業技術総合研究所(以下「産総研」)のダイヤモンド単結晶製造技術の事業化を目的として、産総研ダイヤモンド研究センター長であった藤森直治(現当社代表取締役社長)を中心に設立されました。

2009年9月	大阪府池田市緑丘一丁目8番31号に資本金10,000,000円で株式会社イーディーピーを設立
2009年10月	営業開始 産総研の研究成果を活用した事業を行う設立5年以内のベンチャーに付与される「産総研発ベンチャー」の称号付与
2010年10月 2011年5月 2011年10月 2012年10月 2012年11月 2013年10月 2015年4月 2015年11月 2017年11月 2021年12月 2022年2月 2022年6月 2022年11月 2023年8月 2023年11月 2024年1月 2024年7月 2024年9月 2025年1月 2025年2月 2025年3月 2025年4月	12.5mm長の長尺工具素材の発売 国立研究開発法人新エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO)・イノベーション推進事業に採択 本社及び本社工場を大阪府茨木市五日市一丁目7番24号に移転 本社及び本社工場を大阪府豊中市上新田四丁目6番3号に移転 1インチ(25x25mm)基板の発売 (111)面(注1)研究用基板の発売 大阪府茨木市横江一丁目17番3号に横江第1工場(現在は横江工場に改称)を設置 Bドープエピ層(注2)付き基板の発売 10x10mm種結晶(注3)の発売 本社工場の稼働を停止し、横江第2工場(現在は開発部の拠点に変更)の設置準備を開始 大阪府茨木市横江一丁目2番9号に横江第2工場(現在は開発部の拠点に変更)を設置 東京証券取引所グロース市場に株式を上場 大阪府茨木市四丁目26番6号に島工場を設置 横江第1工場を横江工場に改称し、横江第2工場を開発部の拠点に変更 低抵抗ダイヤモンド基板の発売 15x15mm単結晶基板、種結晶の発売 エス・エフ・ディー株式会社を設立 SFD India Private Limitedを設立 13x13mm大型低抵抗ダイヤモンド基板の発売 エス・エフ・ディー株式会社によるLGD宝石の発売 30x30mm単結晶基板の発売 SFD Antwerp BVを設立 ダイヤモンド1インチ単結晶ウエハの発売

(注)1.ダイヤモンド単結晶の利用する結晶面としてよく現れる、代表的な結晶面であります。最も硬い面でありますが、n形半導体(電子が移動する半導体)を作製する成長工程においては、P(リン)が含有する層を成長させやすいので、半導体関連の研究で使用されます。
2.半導体材料として使用するには、その物質の中を電子もしくは正孔(通常の状態に比べ電子が足りない状態)のどちらかが移動できるようにすることが必要です。このような2種類の半導体を、n形半導体(電子が移動する半導体)、p形半導体(正孔が移動する半導体)と呼びます。ダイヤモンドは絶縁体でありますが、半導体化するには、周期律表のⅢ属元素(BやAl)やⅤ属元素(P、As、Sb)を混入させます。n形半導体にはP(リン)を、p形半導体にはB(ボロン)を、結晶内に取り込ませれば(このことをドーピングという)それぞれの特性を持つ半導体となります。中でも、Bドーピングしたダイヤモンドは、広い範囲の電気伝導率の制御が可能で、比較的利用が容易であります。当社は、通常の基板上にBドープ層を成長させ製品化しております。
3.種結晶とは人工ダイヤモンド宝石を製造するために、気相合成法(メタンなどの炭素を含んだガスを、何等かの手段で活性化し、1,000℃程度の温度でダイヤモンドを生成する方法)でダイヤモンドを成長させるための、元となる結晶であります。当社の主力製品で、代表的には7x7～11x11mmの面積を持ち、0.3mmの厚さの板状のダイヤモンドであります。