四半期報告書-第38期第2四半期(平成29年7月1日-平成29年9月30日)
(追加情報)
(子会社の設立)
平成29年9月15日開催の取締役会におきまして、中国に子会社を設立することを決議いたしました。
1.子会社設立の目的
中国では半導体ウエーハの大半を現在でも輸入に依存しており、その為、中国政府は「中国製造2025」の半導体産業育成政策の中で、半導体製品の国産化比率の向上を図るべく国内の半導体メーカーの育成支援を進めておりますが、現状でも半導体ウエーハを製造出来る中国のサプライヤーの数は限られている状況です。当社は、その中で2002年に小口径(6インチ以下)の半導体ウエーハ事業に進出し、現在では中国における小口径半導体ウエーハの最大手のサプライヤーの一角に成長しております。
また、昨年には世界第3位の大手半導体ウエーハ製造・販売会社である台湾のGlobal Wafers Corporation社との間で、8インチ半導体ウエーハの製造、販売に関して業務提携をし、現在、当社の銀川、上海工場にて年内の量産開始に向け準備しております。
このような中で、銀川、上海工場で量産体制を進めております8インチ半導体ウエーハにつきましては、量産前段階ながら、既に顧客より引き合いが来ているなど、中国における半導体ウエーハの需要は、供給が追いつかないほどひっ迫している状況であり、この需要に出来る限り早く応えていくことが、中国市場における半導体ウエーハ市場において確固たる地位を築くことに繋がる為、設立いたしました。
2.子会社の概要
(1)名称 杭州中芯晶園半導体股份有限公司
(2)所在地 中国浙江省杭州市
(3)事業内容 半導体インゴット及びウエーハの開発、設計、製造
(4)登録資本 29億元(約487億円)(注)1
(5)設立年月日 平成29年9月28日
(6)出資比率(注)2 株式会社フェローテックホールディングス 45.0%
杭州大和熱磁電子有限公司 35.0%(当社100%子会社)
上海申和熱磁電子有限公司 20.0%(当社100%子会社)
(7)投資期間 約3年間(2017年末~2020年末)
(8)スケジュール 2017年末まで 工場着工
2018年末まで 工場完工並びに装置試運転開始
2019年下半期中 8インチ半導体ウエーハ生産開始
(注)1.段階的に当該登録資本まで増資して行く予定(現物出資を含む)
2.最終的な資本構成
(子会社の設立)
平成29年9月15日開催の取締役会におきまして、中国に子会社を設立することを決議いたしました。
1.子会社設立の目的
中国では半導体ウエーハの大半を現在でも輸入に依存しており、その為、中国政府は「中国製造2025」の半導体産業育成政策の中で、半導体製品の国産化比率の向上を図るべく国内の半導体メーカーの育成支援を進めておりますが、現状でも半導体ウエーハを製造出来る中国のサプライヤーの数は限られている状況です。当社は、その中で2002年に小口径(6インチ以下)の半導体ウエーハ事業に進出し、現在では中国における小口径半導体ウエーハの最大手のサプライヤーの一角に成長しております。
また、昨年には世界第3位の大手半導体ウエーハ製造・販売会社である台湾のGlobal Wafers Corporation社との間で、8インチ半導体ウエーハの製造、販売に関して業務提携をし、現在、当社の銀川、上海工場にて年内の量産開始に向け準備しております。
このような中で、銀川、上海工場で量産体制を進めております8インチ半導体ウエーハにつきましては、量産前段階ながら、既に顧客より引き合いが来ているなど、中国における半導体ウエーハの需要は、供給が追いつかないほどひっ迫している状況であり、この需要に出来る限り早く応えていくことが、中国市場における半導体ウエーハ市場において確固たる地位を築くことに繋がる為、設立いたしました。
2.子会社の概要
(1)名称 杭州中芯晶園半導体股份有限公司
(2)所在地 中国浙江省杭州市
(3)事業内容 半導体インゴット及びウエーハの開発、設計、製造
(4)登録資本 29億元(約487億円)(注)1
(5)設立年月日 平成29年9月28日
(6)出資比率(注)2 株式会社フェローテックホールディングス 45.0%
杭州大和熱磁電子有限公司 35.0%(当社100%子会社)
上海申和熱磁電子有限公司 20.0%(当社100%子会社)
(7)投資期間 約3年間(2017年末~2020年末)
(8)スケジュール 2017年末まで 工場着工
2018年末まで 工場完工並びに装置試運転開始
2019年下半期中 8インチ半導体ウエーハ生産開始
(注)1.段階的に当該登録資本まで増資して行く予定(現物出資を含む)
2.最終的な資本構成