- #1 セグメント情報等、連結財務諸表(連結)
当社は、製品別の事業部を置き、各事業部は、連結子会社も含め取り扱う製品について国内及び海外の包括的な戦略を立案し、事業活動を展開しております。
したがって、当社グループは、当社の事業部を基礎とした製品別のセグメントから構成されており、「プローブカード事業」及び「TE事業」の2つを報告セグメントとしております。
2.報告セグメントごとの売上高、利益又は損失、資産、負債その他の項目の金額の算定方法
2026/03/25 11:42- #2 収益認識関係、連結財務諸表(連結)
| 報告セグメント | 合計 |
| プローブカード事業 | TE事業 |
| 日本 | 3,783 | 362 | 4,146 |
当連結会計年度(自 2025年1月1日 至 2025年12月31日)
2026/03/25 11:42- #3 報告セグメントの概要(連結)
当社は、製品別の事業部を置き、各事業部は、連結子会社も含め取り扱う製品について国内及び海外の包括的な戦略を立案し、事業活動を展開しております。
したがって、当社グループは、当社の事業部を基礎とした製品別のセグメントから構成されており、「プローブカード事業」及び「TE事業」の2つを報告セグメントとしております。
2026/03/25 11:42- #4 従業員の状況(連結)
(1) 連結会社の状況
| 2025年12月31日現在 |
| プローブカード事業 | 1,525 |
| TE事業 | 142 |
| 全社(共通) | 118 |
(注)全社(共通)として記載されている従業員数は、特定のセグメントに区分できない管理部門に所属している従業員数であります。
(2) 提出会社の状況
2026/03/25 11:42- #5 減損損失に関する注記(連結)
当社グループは、原則として、事業用資産については事業部を基準としてグルーピングを行っております。TE事業において、営業活動から生ずる損益が継続してマイナスとなっているため、TE事業に係る資産グループの帳簿価額を回収可能価額まで減額し、当該減少額を減損損失(269百万円)として特別損失に計上しております。
なお、事業用資産の減損損失の測定における回収可能価額は正味売却価額により測定しており、このうち土地、建物に係る正味売却価額は、不動産鑑定評価額により評価し、その他については売却可能性が見込めないため、備忘価額により評価しております。
2026/03/25 11:42- #6 略歴、役員の状況(取締役(及び監査役))(連結)
| 1984年4月 | 東京エレクトロン㈱入社 |
| 2016年7月 | 同社 ATSBU理事 |
| 2018年10月 | 当社入社 TE事業部副事業部長 |
| 2018年12月 | 当社執行役員 TE事業部副事業部長 |
| 2019年10月 | 当社執行役員 TE事業部長 |
| 2021年3月 | 当社執行役員 TE事業部長 兼 経営企画戦略本部副本部長 |
| 2021年3月 | 当社取締役上席執行役員 TE事業部長 兼 経営企画戦略本部副本部長 |
| 2022年3月 | 当社取締役常務執行役員 TE事業部長 兼 経営企画戦略本部副本部長 |
| 2023年3月 | 当社取締役専務執行役員 経営企画戦略本部担当 TE事業部長(現任) |
2026/03/25 11:42- #7 研究開発活動
当事業に係る当連結会計年度の研究開発費は5,797百万円であります。
(2) TE事業
半導体テスタ、プローバ、テストソケット等、次世代に向けて要素技術開発も含め幅広く実施いたしました。
2026/03/25 11:42- #8 経営方針、経営環境及び対処すべき課題等(連結)
(4)経営環境並びに優先的に対処すべき事業上及び財務上の課題
当社グループにおけるプローブカード事業は、AI関連投資の拡大を背景とするHBM市場の成長を確実に取り込み、メモリ向けプローブカードが好調に推移しました。一方で、NANDフラッシュ市場はデバイス価格の上昇が見られたものの、プローブカード需要の回復は緩やかとなりました。車載半導体を中心としたノンメモリ分野も回復が遅れましたが、当社ノンメモリプローブカードは、新規顧客開拓の進展により底堅く推移しました。引き続き市場開拓を推進しております。TE事業では、パッケージプローブが安定的に売上に貢献し、前期比で減収となりましたが損失は縮小しました。
中期経営計画「FV26」の中間年度として、積極的な設備投資と研究開発投資を進め、事業基盤の強化と競争力向上に向けた各種施策を着実に実行いたしました。
2026/03/25 11:42- #9 経営者による財政状態、経営成績及びキャッシュ・フローの状況の分析(連結)
このような事業環境のもと、当社グループは拡大を続けるHBM需要を着実に取り込み、メモリ向けプローブカードが好調に推移しました。
また、中期経営計画「FV26」の中間年度として、青森工場新棟への設備投資及び研究開発投資を積極的に実施し、生産能力の強化と新技術の創出を進めました。さらに、ノンメモリ分野ではMEMSタイプのプローブカード拡販に注力し、TE事業においても半導体テスト向け新製品の拡販に向けて顧客とのリレーション強化を図るなど、各種施策を着実に推進しました。
この結果、当連結会計年度の売上高は70,173百万円(前年同期比26.1%増)となりました。地域別の売上高は、国内売上高が5,161百万円(前年同期比24.5%増)、海外売上高が65,012百万円(前年同期比26.2%増)となり、売上高に占める海外売上高の比率は92.6%となりました。また、受注高は75,810百万円(前年同期比10.3%増)となり、受注残高は34,638百万円(前年同期比19.4%増)となりました。
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