四半期報告書-第78期第2四半期(2023/07/01-2023/09/30)

13.後発事象
(株式会社日立パワーデバイスの株式譲渡契約の締結)
(1)概要
当社は、2023年11月2日付の取締役会決議により、株式会社日立製作所(以下、「日立製作所」)から、株式会社日立パワーデバイス(以下、「日立パワーデバイス」)の株式を取得(以下、「本株式取得」)し子会社化すること及び日立製作所グループのパワーデバイス事業に関する海外販売事業を譲り受けること(以下、「本事業譲受」)を決定し、日立製作所と株式譲渡契約(以下、「本株式譲渡契約」)を締結しました。
(2)本株式の取得及び事業譲受の理由
日立パワーデバイスは、産業や社会インフラの電化・電動化におけるキー・デバイスであるパワー半導体製品を提供している半導体メーカーです。高度な基礎技術資産とモジュール化技術を基礎とした小型化と高性能化を両立した価格競争力のある製品を数多く生み出し、高い競争力を有した製品ポートフォリオを実現することで、高成長が見込まれるエンドマーケットにおいて確固たるポジションを確立しており、特に、高耐圧SiC、高耐圧IGBT*1、EV向けSG(サイドゲート)-IGBT、高圧IC、オルタネータ用ダイオード等のパワー半導体においては、豊富な技術開発力を背景として、優位性の高い技術・製品を有しています。
当社は、本株式取得及び本事業譲受により、従来のチップ製造に加え、パッケージ及びモジュールの後工程技術及び生産能力を取得でき、「パワー半導体を開発から一貫生産できる垂直統合型のビジネス展開」が可能となります。さらに、統合による技術陣容の強化に加え、日立パワーデバイスの誇るSG-IGBTを含むユニークな技術と当社のチップ製造技術の相合*2により、SiパワーデバイスにおいてもSiCに近い性能を実現することや、日立パワーデバイスのSiC技術者集団が持つ高耐圧SiC技術を活かしたSiCパワーデバイス事業の発展など、パワーデバイス事業と既存当社内事業のシナジー効果を発現させ、パワー半導体市場をリードできる競争力のある企業への躍進をはかります。従前より当社は日立パワーデバイスの前工程Fabとして製造受託しており、さらに、SG-IGBTは既に当社滋賀工場で試作中でありますので、垂直統合で統合初日より付加価値を取り込めるものと考えております。
*1 パワー半導体素子の一つである絶縁ゲートバイポーラトランジスタ
*2 相合:「総合」ではなく、「相い合わせる」ことを意味し、自社保有技術を融合、活用して「コア製品」を進化させるとともに、その進化した製品をさらに相合することでさまざまな分野で新たな製品を創出すること。
(3)異動する子会社の概要

名称	株式会社日立パワーデバイス
所在地	茨城県日立市大みか町五丁目2番2号
代表者の役職・氏名	取締役社長 鈴木 雅彦
事業内容	半導体部品の設計、製造及び販売、半導体応用機器と部品の設計、製造及び販売
資本金	450百万円
設立年月日	2013年10月1日

(4)譲受事業の概要

譲受事業の内容	パワーデバイス事業に関する海外販売事業
譲受対象事業の 資産・負債	事業譲渡日におけるパワーデバイス事業に関する海外販売事業に係る売上債権、商品在庫及びその円滑な承継のために必要な資産、負債として別途両当事者間で合意する資産、負債を譲り受けます。

(5)取得株式数、取得の対価及び取得前後の所有株式の状況

異動前の所有株式数	-株(議決権所有割合:-%)
取得株式数	450,000株
取得の対価(注)	40,971百万円
異動後の所有株式数	450,000株(議決権所有割合:100.0%)

(注)取得の対価は未確定であり、上記は入手可能である合理的な情報に基づき暫定的に算定された金額であります。
(6)日程

取締役会決議日	2023年11月2日
株式譲渡契約締結日	2023年11月2日
本株式取得の実行日	各競争規制当局からの許認可取得やその他手続を経て、早期の実行を目指してまいります。