有価証券報告書-第78期(2023/04/01-2024/03/31)

41.後発事象
(株式会社日立パワーデバイスの取得による企業結合及び事業譲受)
当社は、2024年5月2日付で、株式譲渡による株式会社日立パワーデバイスの議決権の100%取得、並びに、株式会社日立製作所グループのパワーデバイス事業に関する海外販売事業の譲受を完了しました。また、株式会社日立パワーデバイスは同日付でミネベアパワーデバイス株式会社(以下、「ミネベアパワーデバイス」)へ社名を変更しました。
ミネベアパワーデバイスは、産業や社会インフラの電化・電動化におけるキー・デバイスであるパワー半導体製品を提供している半導体メーカーです。高度な基礎技術資産とモジュール化技術をベースにした小型化と高性能化を両立した特徴のある製品を数多く生み出し、高い競争力を有した製品ポートフォリオを実現することで、高成長が見込まれるエンドマーケットにおいて確固たるポジションを確立しております。特に、高耐圧SiC、高耐圧IGBT※1、EV向けSG(サイドゲート)-IGBT、高圧IC、オルタネータ用ダイオード等のパワー半導体においては、豊富な技術開発力を背景として、優位性の高い技術・製品を有しています。
当社は、株式取得及び事業譲受により、従来のチップ製造に加え、パッケージ及びモジュールの後工程技術及び生産能力を取得し、「パワー半導体を開発から一貫生産できる垂直統合型のビジネス展開」が可能となります。さらに、統合による技術陣容の強化に加え、ミネベアパワーデバイスの誇るSG-IGBTを含むユニークな技術と当社のチップ製造技術を相合※2します。SiパワーデバイスにおいてもSiCに近い性能を実現することや、ミネベアパワーデバイスのSiC技術者集団が持つ高耐圧SiC技術を活かしたSiCパワーデバイス事業の発展など、パワーデバイス事業と当社の既存事業とのシナジー効果を発現させ、パワー半導体市場をリードできる競争力のある企業への躍進をはかります。新製品開発における相合活動では、高圧モーター制御のノウハウを当社DCモーター製品へ活用することによるモーターソリューションの新提案、先端高効率デバイス等を当社電源へ取り込むことによるハイパワー電源製品の市場投入、特殊プロセス技術と設計技術の融合やエイブリック製品との組み合わせなどによる医療向けデバイス製品の増強等を想定しており、新たな付加価値を創出してまいります。また、従前より当社はミネベアパワーデバイスの前工程Fabとして製造受託しており、さらに、SG-IGBTは既に当社滋賀工場で試作中でありますので、垂直統合で統合初日より付加価値を取り込めるものと考えております。
※1 パワー半導体素子の一つである絶縁ゲートバイポーラトランジスタ
※2 相合:「総合」ではなく、「相い合わせる」ことを意味し、自社保有技術を融合、活用して「コア製品」を進化させるとともに、その進化した製品をさらに相合することでさまざまな分野で新たな製品を創出すること。
取得日現在における支払対価の公正価値は40,955百万円であります。なお、支払対価の公正価値は、財務数値を含む株式譲渡契約の条件に基づき最終決定される予定であり、変動する可能性があります。また、取得資産及び引受負債の公正価値並びにのれんの金額については、現在算定中であります。