■半導体部門
産業モジュール分野では、低損失で高温動作が可能な第7世代IGBT技術を適用した製品の系列を拡大しています。鉄道や再生可能エネルギー分野における高耐圧化の要求に応えるため、大容量モジュール「HPnC」(High Power next Core)パッケージに、最新の第7世代IGBT/FWD「Xシリーズ」チップを搭載した1,700V耐圧品、2,300V耐圧品に加え、3,300V耐圧品のサンプル展開を進めています。風力発電システム向けには、電力安定化回路に対して最適化した第7世代IGBTモジュール1,700V/600A DualXTを開発し、量産を開始しました。このモジュールの適用により、電力変換装置の信頼性向上に貢献します。また、太陽光発電システム向けに最適化したIGBTモジュール1,200V/800A(M276パッケージ)を新たに開発し、サンプル展開を開始しました。従来の1,200V/600Aから定格電流を拡大したことにより、装置の小型化に貢献します。エアコンやサーボシステム向けには、第7世代IGBT/FWDチップを搭載したモールドタイプの小容量IPM(Intelligent Power Module)650V/10～30Aを開発し発売しました。モールド構造の採用により高密度実装化することでモジュールの外形寸法を大幅に小型化(従来ケース構造比40%)しました。また、最新のチップを適用することで、従来製品に対して、電力損失を10%低減し、電磁ノイズも約1/3に低減しました。これらにより、機器の小型化と省エネに貢献します。さらに、鉄道や再生可能エネルギー分野向けのパワエレ機器の小型・軽量化、高効率化のため、第2世代SiCトレンチゲートMOSFETを搭載した1,700V/200,300,400A(M295パッケージ)のAll-SiCモジュールを開発し、量産化の準備を進めています。第2世代SiCチップの適用により、従来のSi-IGBTチップに比べて総損失を約70%低減しました。また、今回新たに開発したM295パッケージは、従来の標準パッケージ(M276)に比べて配線インダクタンスを24%削減したことで、ノイズや故障の原因となるサージ電圧を低減できます。これらにより、インバータなどの顧客装置の効率向上や信頼性向上に貢献します。
車載モジュール分野では、中国の電動車市場向けに、RC-IGBTチップと冷却性能の改善により、電力密度をさらに高めた直接水冷型パワーモジュール750V/820A(M675パッケージ)を開発し、量産を開始しました。また、2026年以降のxEV(電動車)モデル向けに、損失を低減し信頼性を高めた次世代IGBT及びSiCの開発を進めています。これらの製品を通じて、電動車の高効率化と小型軽量化に貢献します。
2024/02/14 15:30
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