有価証券報告書-第5期(平成26年1月1日-平成26年12月31日)

(重要な後発事象)
当事業年度(自 平成26年1月1日 至 平成26年12月31日)
当社は、平成27年2月17日付で株式会社東京証券取引所から上場の承認を受け、平成27年3月24日に東京証券取引所マザーズに上場いたしました。当社は上場にあたり、平成27年2月17日及び平成27年3月3日開催の取締役会において、次のとおり決議し、公募による新株式発行については平成27年3月23日に払込が完了いたしました。
この結果、資本金は616,450千円、発行済株式総数は5,440,000株となっております。
ただし、当社普通株式162,000株の第三者割当増資による新株式の発行につきまして、割当先である株式会社SBI証券より発行予定株式数の全株につき、払込期日までに申込みを行わず、失権する旨の通知があったことから、新株式を発行しないこととなりました。
1.公募による募集株式発行

(1)募集方法	一般募集(ブックビルディング方式による募集)
(2)発行する株式の種類及び数	普通株式 330,000株
(3)発行価格	1株につき2,750 円
	一般募集はこの価格にて行いました。
(4)引受価額	1株につき2,530 円
	この価額は、当社が引受人より1株当たりの払込金として受け取った金額であります。なお、発行価格と引受価額との差額の総額は、引受人の手取金となります。
(5)発行価額	1株につき2,167.50円
	この金額は会社法上の払込金額であり、平成27年3月3日開催の取締役会において決定された金額であります。
(6)資本組入額	1株につき1,265円
(7)発行価額の総額	715,275千円
(8)資本組入額の総額	417,450千円
(9)引受価額の総額	834,900千円
(10)払込期日	平成27年3月23日
(11)資金の使途	当社三本木工場の設備投資のため調達した借入金の返済資金及び連結子会社艾爾斯半導體股份有限公司に対する融資資金として充当することとし、艾爾斯半導體股份有限公司においてはシリコンウェーハ再生工場に係る設備投資資金(当該設備投資のため調達した借入金の返済資金を含む。)に充当する。

2.第三者割当による新株式の発行
平成27年2月17日及び平成27年3月3日開催の取締役会において、株式会社SBI証券が行うオーバーアロットメントによる当社株式の売出(当社株主より借入れる当社普通株式162,000株)に関連して、同社を割当先とする第三者割当増資による新株式の発行を決議いたしました。

(1)発行する株式の種類及び数	当社普通株式 162,000 株(上限)
(2)割当価格	1株につき2,530円
(3)発行価額	1株につき2,167.50円
(4)資本組入額	1株につき1,265円
(5)払込金額の総額	409,860千円(上限)
(6)払込期日	平成27年4月24日
(7)割当先	株式会社SBI証券
(8)資金の使途	当社三本木工場の設備投資のため調達した借入金の返済資金及び連結子会社艾爾斯半導體股份有限公司に対する融資資金として充当することとし、艾爾斯半導體股份有限公司においてはシリコンウェーハ再生工場に係る設備投資資金(当該設備投資のため調達した借入金の返済資金を含む。)に充当する。当社三本木工場の設備投資のために調達した借入金の返済資金、連結子会社艾爾斯半導體股份有限公司に対する融資資金として充当する予定です。
(9)その他	株式会社SBI証券は、上場(売買開始)日から平成27年4月17日までの間、貸株人から借入れる株式の返却を目的として、東京証券取引所においてオーバーアロットメントによる売出しに係る売出株式数を上限とするシンジケートカバー取引を行う場合があります。