有価証券届出書(新規公開時)
沿革
当社の創業者である菅原充は、富士通株式会社及び国立大学法人東京大学との産学共同の開発体制の下、量子ドットレーザ技術開発の先駆者としてスタートし、富士通株式会社及び三井物産株式会社の両社のベンチャーキャピタル資金を活用して、富士通の量子ドットレーザ技術に基づく光デバイスのベンチャー企業として2006年4月に当社を設立いたしました。
(注) 富士通エレクトロニクス株式会社は2020年12月29日に加賀FEI株式会社に商号変更する予定となっております。
本項「2 沿革」にて使用しております用語の定義について以下に記します。
| 年月 | 事項 |
| 2006年4月 | 富士通株式会社と三井物産株式会社のベンチャーキャピタル資金を活用して、富士通株式会社の量子ドットレーザ(※1)技術に基づく光デバイスのベンチャー企業として、東京都千代田区に株式会社QDレーザ(資本金10,020千円)を設立 |
| 2006年6月 | 国立大学法人 東京大学と「量子ドットの結晶成長技術(※2)に関する研究」で共同研究契約締結 |
| 2010年4月 | 業務拡大に伴い、本社を神奈川県川崎市川崎区に移転 |
| 2010年9月 | 光通信用1240-1310nm 量子ドットレーザを世界で初めて実用量産化し、QLF1339シリーズとして商品化 |
| 2011年4月 | 単一モード発振特性(※3)に優れた1030-1180nm 材料加工・センサ用DFBレーザをQLD106xシリーズとして商品化 |
| 640-785nm 高出力レーザ(モニタPD付き)をQLF063xシリーズとして商品化 | |
| 2012年1月 | ISO9001認証取得 |
| 2013年3月 | 532, 561, 594nm 小型可視レーザモジュールをQLD0593シリーズとして商品化 |
| 2014年2月 | 1064nm 400mWのDFBレーザモジュール(※4)開発 |
| 2014年4月 | 波長1μm帯DFBレーザモジュール搭載ピコ秒パルスドライバーボードを商品化 |
| 2015年9月 | 臨床試験実施の目的で、ドイツエッセン市に非連結子会社QD Laser Deutschland GmbH(資本金25,000EUR)を設立 |
| 2018年4月 | レーザアイウェア事業の開発拠点拡張に伴い、神奈川県川崎市幸区に新川崎オフィスを設置 |
| 2018年7月 | 網膜走査型レーザアイウェア「RETISSA® Display」販売開始 |
| 2019年10月 | 網膜走査型レーザアイウェア「RETISSA® DisplayⅡ」発表・受注開始 |
| EN ISO13485認証取得 | |
| 2019年12月 | 網膜走査型レーザアイウェア「RETISSA® DisplayⅡ」販売開始 |
| 2020年1月 | 網膜走査型レーザアイウェア「RETISSA® メディカル」が新医療機器として製造販売承認を取得 |
| 2020年9月 | RETISSA® Displayシリーズ累計450台出荷達成 |
| 2020年10月 | 富士通エレクトロニクス株式会社(注)とRETISSA®シリーズに関する販売代理店契約を締結 |
| メガネブランド「Zoff(ゾフ)」を運営する株式会社インターメスティックと業務提携 | |
| 参天製薬株式会社とRETISSA® メディカルの販売支援契約を締結 |
(注) 富士通エレクトロニクス株式会社は2020年12月29日に加賀FEI株式会社に商号変更する予定となっております。
本項「2 沿革」にて使用しております用語の定義について以下に記します。
| No | 用語 | 用語定義 |
| 1 | 量子ドットレーザ | 量子ドットレーザは、半導体レーザの活性層(発光部)に半導体のナノサイズの微結晶である量子ドットを使用したレーザです。温度安定性に優れ(-40度Cから120度Cの範囲でレーザ動作特性が殆ど変化しません)、高温にて動作可能です(200度C以上でも動作します)。波長1300nm帯でレーザ発振するためデータ通信用に用いられます。 量子ドットレーザをシリコンに融合させて(フリップチップ接合またはウェハ融着を行っております)、光源とすることでシリコンフォトニクス光源となります。量子ドットレーザはこのシリコンフォトニクス光源として最も優れており、その理由は、1)高温のCPUの近くでも安定して動作する、2)ノイズに強く部品点数を削減・低コスト化できる、3)高温度で動作させても長寿命である、の3点です。光通信で用いられる通信用インジウムリン系半導体レーザではこれらは対応不能です。 |
| 2 | 結晶成長技術 | 半導体結晶を半導体基板上に成長させる技術で、当社はその中でも分子線エピタキシー法(MBE法:Molecular Beam Epitaxy)を採用しております。このMBE法では、ヒ素、ガリウム、インジウム等の原料をセルで加熱し、その分子線を基板に到達させて結晶成長を行っております。この結晶成長が、宇宙空間と同等の極めて高い真空の炉の中で行われるため、純度の高い、原子のレベルで精密な半導体結晶を成長することができます。 |
| 3 | 単一モード発振特性 | DFB(DFB:分布帰還型Distributed Feedback)レーザの発振波長は単一モードになります。このレーザの波長特性を単一モード発振特性といっております。ファイバレーザの種光として利用される1064nm DFBレーザの単一モード特性は、希土類をドープした光ファイバの増幅波長に合わせるために使用されます。 |
| 4 | DFBレーザ(モジュール) | DFBレーザとはDFB(DFB:分布帰還型Distributed Feedback)レーザの事で、半導体レーザ内部に回折格子を設けて、単一波長でレーザ発振することを可能としたレーザです。ファイバレーザの種光のように狭い波長域に光出力を集中させる必要がある用途に適します。モジュールはそのレーザをユニット化したものです。 |