有価証券報告書-第23期(平成29年4月1日-平成30年3月31日)
(重要な後発事象)
(子会社の増資)
当社は、平成30年4月2日開催の取締役会において、当社子会社であるフェニテックセミコンダクター株式会社(以下「フェニテック」)が実施する第三者割当増資について全額引き受けることを決議し、平成30年4月18日に実行いたしました。
(1)増資の目的
当社は重点分野としている産業機器・車載機器やIoT機器等に向けた高付加価値製品を長期・安定的に高品質でお客様へお届けする体制を構築して、当社製品に適した製造パートナーを戦略的な提携関係に基づいてグループ内に取り込み、設計技術と製造技術の緊密な融合を進めることを目的に、平成28年4月にフェニテックの株式の51%を取得して当社の連結子会社といたしました。
当社は、平成30年3月に、東京証券取引所第一部指定承認に伴い新株式発行及び自己株式の処分により資金を調達しましたので、そこで調達した資金をフェニテックに対する出資資金に充当いたしました。
フェニテックは、出資資金のうち、主に2,000,000千円を同社第一工場における新棟建設・増床、新規設備の導入等に充当し、400,000千円を借入金の返済に充当することで、生産性向上及び財務基盤の強化を図ります。
(2)子会社の概要
会社名 :フェニテックセミコンダクター株式会社
代表者名 :谷英昭
本社所在地 :岡山県井原市木之子町150番地
設立年月日 :昭和43年10月5日
事業内容 :半導体素子及び半導体製品の製造
増資前の資本金 :380,000千円
出資比率 :当社51.0%
(3)第三者割当増資の概要
増資額 :2,400,319千円
増資後の資本金 :1,600,000千円
払込日 :平成30年4月18日
増資後の出資比率:当社69.6%
(子会社の増資)
当社は、平成30年4月2日開催の取締役会において、当社子会社であるフェニテックセミコンダクター株式会社(以下「フェニテック」)が実施する第三者割当増資について全額引き受けることを決議し、平成30年4月18日に実行いたしました。
(1)増資の目的
当社は重点分野としている産業機器・車載機器やIoT機器等に向けた高付加価値製品を長期・安定的に高品質でお客様へお届けする体制を構築して、当社製品に適した製造パートナーを戦略的な提携関係に基づいてグループ内に取り込み、設計技術と製造技術の緊密な融合を進めることを目的に、平成28年4月にフェニテックの株式の51%を取得して当社の連結子会社といたしました。
当社は、平成30年3月に、東京証券取引所第一部指定承認に伴い新株式発行及び自己株式の処分により資金を調達しましたので、そこで調達した資金をフェニテックに対する出資資金に充当いたしました。
フェニテックは、出資資金のうち、主に2,000,000千円を同社第一工場における新棟建設・増床、新規設備の導入等に充当し、400,000千円を借入金の返済に充当することで、生産性向上及び財務基盤の強化を図ります。
(2)子会社の概要
会社名 :フェニテックセミコンダクター株式会社
代表者名 :谷英昭
本社所在地 :岡山県井原市木之子町150番地
設立年月日 :昭和43年10月5日
事業内容 :半導体素子及び半導体製品の製造
増資前の資本金 :380,000千円
出資比率 :当社51.0%
(3)第三者割当増資の概要
増資額 :2,400,319千円
増資後の資本金 :1,600,000千円
払込日 :平成30年4月18日
増資後の出資比率:当社69.6%