有価証券報告書-第35期(平成26年4月1日-平成27年3月31日)

(重要な後発事象)
株式会社アドマップの株式取得(子会社化)について
当社は、平成27年6月2日開催の取締役会において、株式会社アドマップの株式66%を、三井造船株式会社より譲り受け、筆頭株主として資本参加し、連結子会社とすることを決議いたしました。
1.株式の取得の理由
当社は、石英、セラミックス、結晶シリコンを素材とする、半導体製造装置用構造部品を製造・販売し、幅広い半導体装置メーカーへのソリューション提案を展開しております。
この度の資本参加の対象先である株式会社アドマップは、独自のCVDSiC*1製品の生産技術を有しており、今後、需要の増加が予想されるSiC*2素材の中でも、超高純度・高耐食性・高耐酸化性・高耐熱性・高耐摩耗性の、高品質CVDSiC製品を提供しております。
CVDSiC素材は、パーティクル発生の低い構造部品素材として、半導体製造装置メーカーから期待されているものであり、このCVDSiC構造部品を当社グループの販売ルートを通じて半導体製造装置メーカーへ提供を行うとともに、顧客ニーズに対応した生産体制の拡充を図り、グループの取扱商品のラインナップを強化し、業容の拡大が可能と判断したものです。
また、同社は従来から、当社グループの生産する石英、セラミックス製品を販売している実績もあり、資本参加によりお客様への対応を一層円滑化し、グループ全体の売上高の増加も期待できると考えております。
現状のCVDSiC市場は、世界全体で約200億円規模と推定され、製造技術が難しく製品の供給量が限られ、また、高価格である事より、市場拡大が制約されていると考えております。当社では、お客様のニーズに応じて、供給体制の拡充、量産によるコストダウンを行い、半導体製造装置への利用範囲の拡大、市場の成長が期待できるものと考えております。
*1 原料ガスから化学気相蒸着法(CVD法)によってSiC(炭化ケイ素)の薄膜を、加熱チャンバー内の基板上で成長させて素材を生産し、切削加工等を行い半導体関連部品の製造を行う。他のSiC素材の製造方法(Si含浸SiC、焼結SiC)に比し、高純度・高品質の素材生産が可能となります。
*2 SiCは、耐摩耗性、耐熱性、耐腐食性に優れ、熱膨張係数が低いという性質より、微細化に対応する最新半導体製造装置の交換部品に採用されています。従来の石英やセラミックスに比し、耐用期間が2～3倍であり、パーツの洗浄・交換などの工程休止による装置のダウンタイムの短縮が可能となります。
2.株式取得の相手会社の名称
三井造船株式会社
3.株式取得する会社の名称、事業内容、規模
名称 株式会社アドマップ
事業内容 CVDSiC製品の製造・販売、半導体製造装置用構造部品の販売
資本金 1億60百万円
4.株式取得の時期
①取締役会決議日 平成27年6月2日
②契約締結日 平成27年7月1日
③株式譲渡実行日 平成27年7月1日(予定)
5.取得する株式の数、取得価額及び取得後の持分比率
①取得する株式の数 2,223株
②取得価額 878百万円
③取得後の持分比率 66.02%