(1) 概況
当期は、事業ポートフォリオに基づき、注力事業領域に投資を集中する方針にて実施し、設備投資額(無形固定資産を含む発注ベース。以下同じ。)は855億円となりました。投融資額(支払ベース。以下同じ。)は965億円となりました。
インフラシステムソリューションにおいては、安全性や急速充電に優れた二次電池SCiBTMの生産拡大に対応するための投資を実施しました。ストレージ&デバイスソリューションにおいては、パワー半導体の需要拡大に向けた生産能力増強のための投資を実施しました。
当期の投資は、事前に設定した投資キャッシュフローに基づき上限を設定し管理しました。なお、以下の表には東芝メモリ㈱分については含んでおらず、同社分は(4)に記載しています。

セグメントの名称	設備投資額 (億円)※1	投融資額 (億円)※2
エネルギーシステムソリューション	107	940
インフラシステムソリューション	321	19
リテール&プリンティングソリューション	83	4
ストレージ&デバイスソリューション	205	1
インダストリアルICTソリューション	23	1
その他	116	0
合計	855	965

(注)※1.無形固定資産を含む、発注ベース
※2.支払ベース
(2) 主要設備投資

	セグメントの名称	概 要
当期完成	インフラシステム ソリューション	二次電池製造装置(東芝インフラシステムズ㈱)
当期発注	インフラシステム ソリューション	二次電池製造装置(東芝インフラシステムズ㈱)
	ストレージ&デバイスソリューション	パワー半導体製造装置(加賀東芝エレクトロニクス㈱)

(3) 主要投融資

セグメントの名称	概 要
エネルギーシステム ソリューション	㈱IHIからのウェスチングハウス社グループ株式取得 仏法人ENGIE社グループからのニュージェネレーション社の株式取得 カザフスタン法人National Atomic Company Kazatomprom Joint Stock Companyからのウェスチングハウス社グループ株式取得

(4) 東芝メモリ㈱分
NAND型フラッシュメモリの競争力強化のため四日市工場内に新製造棟を建設するとともに、3次元NAND型フラッシュメモリの生産拡大に対応するため継続的に投資しました。設備投資額は5,768億円となり、投融資額は4億円となりました。
なお、この投資額には、持分法適用会社であるフラッシュフォワード合同会社等が実施した投資のうち東芝メモリ㈱分が含まれています。