四半期報告書-第125期第3四半期(平成30年10月1日-平成30年12月31日)
経営上の重要な契約等
当第3四半期連結会計期間において、新たに締結した経営上の重要な契約等は、次のとおりであります。
(1)吸収分割契約
当社は、2018年12月26日開催の取締役会において、2019年4月1日(予定)を効力発生日として、当社のIoTエレクトロデバイスグループに属する電子デバイス事業の一部(以下、「電子デバイス事業」といいます。)及びレーザー事業(以下、「レーザー事業」といいます。)を、当社の100%子会社として新設する会社2社(以下、「受皿会社」といいます。)にそれぞれ吸収分割で承継させることにより分社化する旨の決議を行い、2019年1月30日に、受皿会社との間で、吸収分割に関する契約を締結いたしました。
本吸収分割の概要は、次のとおりであります。
①会社分割の目的
当社は、企業価値向上に向け、構造改革を継続しつつ、事業ビジョン「8KとAIoTで世界を変える」を実現する企業へのトランスフォーメーションを進めております。その一環として、電子デバイス事業及びレーザー事業をそれぞれ新設する子会社への吸収分割により分社化することで、事業環境の変化に機敏に対応すべく、より自律的な事業体制を構築することを目的としております。
②会社分割の方法
当社出資の受皿会社として設立する、シャープ福山セミコンダクター㈱(以下、「SFS社」といいます。)及びシャープ福山レーザー㈱(以下、「SFL社」といいます。)を承継会社とし、当社を分割会社とする吸収分割方式です。
③分割期日
2019年4月1日(予定)
④吸収分割に係る株式割当内容及びその算定根拠
本吸収分割に際して、SFS社及びSFL社から当社への株式の割当、金銭その他の財産の交付はありません。
⑤承継会社が承継する権利義務
イ.SFS社
半導体及び半導体応用デバイス/モジュール事業、オプトデバイス事業、高周波デバイス及び高周波応用モジュール事業並びに半導体ファウンドリ―事業に属する資産、負債及びこれらに付随する権利義務を、当社とSFS社との間で締結する吸収分割契約書に定める範囲において承継します。
ロ.SFL社
レーザー及びレーザー応用デバイス/モジュール事業に属する資産、負債及びこれらに付随する権利義務を、当社とSFL社との間で締結する吸収分割契約書に定める範囲において承継します。
⑥分割する事業の経営成績(2018年3月期)
ただし、他セグメントへの内部売上高を含んでおります。
⑦分割する資産、負債の状況(2018年9月30日現在)
イ.SFS社に対し分割する事業
ロ.SFL社に対し分割する事業
なお、上記の資産、負債の金額は、2018年9月30日現在の貸借対照表を基準として算出しており、実際の金額は、上記金額に効力発生日前日までの増減を加除した金額となります。
⑧本吸収分割後の承継会社の概要
(2)その他の契約
(注)1 上記は当社との契約であります。
2 2019年1月30日、当社はA種種類株式92,000株を取得し、同日、その全数を消却いたしました。
(1)吸収分割契約
当社は、2018年12月26日開催の取締役会において、2019年4月1日(予定)を効力発生日として、当社のIoTエレクトロデバイスグループに属する電子デバイス事業の一部(以下、「電子デバイス事業」といいます。)及びレーザー事業(以下、「レーザー事業」といいます。)を、当社の100%子会社として新設する会社2社(以下、「受皿会社」といいます。)にそれぞれ吸収分割で承継させることにより分社化する旨の決議を行い、2019年1月30日に、受皿会社との間で、吸収分割に関する契約を締結いたしました。
本吸収分割の概要は、次のとおりであります。
①会社分割の目的
当社は、企業価値向上に向け、構造改革を継続しつつ、事業ビジョン「8KとAIoTで世界を変える」を実現する企業へのトランスフォーメーションを進めております。その一環として、電子デバイス事業及びレーザー事業をそれぞれ新設する子会社への吸収分割により分社化することで、事業環境の変化に機敏に対応すべく、より自律的な事業体制を構築することを目的としております。
②会社分割の方法
当社出資の受皿会社として設立する、シャープ福山セミコンダクター㈱(以下、「SFS社」といいます。)及びシャープ福山レーザー㈱(以下、「SFL社」といいます。)を承継会社とし、当社を分割会社とする吸収分割方式です。
③分割期日
2019年4月1日(予定)
④吸収分割に係る株式割当内容及びその算定根拠
本吸収分割に際して、SFS社及びSFL社から当社への株式の割当、金銭その他の財産の交付はありません。
⑤承継会社が承継する権利義務
イ.SFS社
半導体及び半導体応用デバイス/モジュール事業、オプトデバイス事業、高周波デバイス及び高周波応用モジュール事業並びに半導体ファウンドリ―事業に属する資産、負債及びこれらに付随する権利義務を、当社とSFS社との間で締結する吸収分割契約書に定める範囲において承継します。
ロ.SFL社
レーザー及びレーザー応用デバイス/モジュール事業に属する資産、負債及びこれらに付随する権利義務を、当社とSFL社との間で締結する吸収分割契約書に定める範囲において承継します。
⑥分割する事業の経営成績(2018年3月期)
売上高 | 金額(百万円) |
SFS社に対し 分割する事業 | 73,500 |
SFL社に対し 分割する事業 | 12,900 |
ただし、他セグメントへの内部売上高を含んでおります。
⑦分割する資産、負債の状況(2018年9月30日現在)
イ.SFS社に対し分割する事業
資産 | 金額(百万円) | 負債 | 金額(百万円) |
流動資産 | 7,735 | 流動負債 | 130 |
固定資産 | 4,435 | 固定負債 | 10 |
合計 | 12,170 | 合計 | 140 |
ロ.SFL社に対し分割する事業
資産 | 金額(百万円) | 負債 | 金額(百万円) |
流動資産 | 3,565 | 流動負債 | - |
固定資産 | 2,970 | 固定負債 | - |
合計 | 6,535 | 合計 | - |
なお、上記の資産、負債の金額は、2018年9月30日現在の貸借対照表を基準として算出しており、実際の金額は、上記金額に効力発生日前日までの増減を加除した金額となります。
⑧本吸収分割後の承継会社の概要
SFS社 | SFL社 | |
名 称 | シャープ福山セミコンダクター㈱ | シャープ福山レーザー㈱ |
所 在 地 | 広島県福山市大門町旭1番地 | 広島県福山市大門町旭1番地 |
代 表 者 | 代表取締役 森谷 和弘 | 代表取締役 森谷 和弘 |
事業内容 | 電子デバイス(半導体、LSI、センサー等)の企画・開発・生産等 | 半導体レーザーの企画・開発・生産等 |
資 本 金 | 30百万円 | 30百万円 |
(2)その他の契約
相手先 | 国名 又は 地域 | 契約内容 |
㈱みずほ銀行 ㈱三菱UFJ銀行 | 日本 日本 | 2018年10月30日開催の取締役会において、発行済のA種種類株式200,000株のうち92,000株の取得及び消却に係る事項を決議し、A種種類株式を保有する㈱みずほ銀行及び㈱三菱UFJ銀行との間で、「自己株式取得に関する契約書」を締結いたしました。 |
(注)1 上記は当社との契約であります。
2 2019年1月30日、当社はA種種類株式92,000株を取得し、同日、その全数を消却いたしました。